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CMD80N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 80N06采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80N06
- 商品编号
- C19724739
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
CMH1608采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源(UPS)
- 硬开关和高频电路
- 逆变器