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CMB3205
1个N沟道 耐压:65V 电流:100A
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- 描述
- 3205采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB3205
- 商品编号
- C19724736
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
XCH13N50F是一款采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-不间断电源-电机控制与驱动-电池管理