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IPT015N10N5(TOKMAS)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT015N10N5(TOKMAS)

1个N沟道 耐压:100V 电流:500A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:表面贴装封装,MSL1。 先进的沟槽单元设计。应用:BMS。 无人机
商品型号
IPT015N10N5(TOKMAS)
商品编号
C19626223
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.889333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)500A
导通电阻(RDS(on))1.35mΩ
属性参数值
耗散功率(Pd)533W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)167nC@10V
类型N沟道

商品特性

  • 漏源击穿电压(V(BR)DSS):30 V(漏极电流 ID = 100 μA)
  • 漏极电流(ID):26 A
  • 导通电阻(RDS(ON)):最大 4.0 mΩ(栅源电压 VGS = 10 V,漏极电流 ID = 47.2 A)
  • 栅极总电荷(Qg):16.5 nC(栅源电压 VGS = 4.5 V,漏源电压 VDS = 15 V,漏极电流 ID = 57.0 A)
  • 低栅极总电荷
  • 高速开关
  • 低导通电阻
  • 支持 4.5 V 栅极驱动
  • 经过 100% 单脉冲雪崩测试
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 同步整流
  • 电源

数据手册PDF