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CSD18540Q5B(TOKMAS)
1个N沟道 耐压:60V 电流:200A
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- CSD18540Q5B(TOKMAS)
- 商品编号
- C19626234
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，在栅极电荷较低的情况下，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 200 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 2.3 mΩ
- 栅极电荷低。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。