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CSD25402Q3A(TOKMAS)
1个P沟道 耐压:20V 电流:45A
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- 描述
- 此P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- CSD25402Q3A(TOKMAS)
- 商品编号
- C19626236
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -20 V,ID = -45 A,RDS(ON) < 7 m Ω(VGS = -4.5 V 时)
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。