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CSD25402Q3A(TOKMAS)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CSD25402Q3A(TOKMAS)

1个P沟道 耐压:20V 电流:45A

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描述
此P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
商品型号
CSD25402Q3A(TOKMAS)
商品编号
C19626236
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.052克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)80W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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(5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个5000个/圆盘

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