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CSD19533Q5A(TOKMAS)
1个N沟道 耐压:100V 电流:74A 停产
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- 描述
- 特性：高速功率开关。 增强型体二极管dv/dt能力。 增强型雪崩耐用性。 100% UIS测试，100% Rg测试。 无铅、无卤。应用：开关电源中的同步整流。 硬开关和高速电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- CSD19533Q5A(TOKMAS)
- 商品编号
- C19626237
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.121nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 573pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V，漏极电流（ID） = -65 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 11 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好