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BSC160N10NS3G(TOKMAS)
1个N沟道 耐压:100V 电流:44A
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- 描述
- 特性：高速功率开关，逻辑电平。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。 100% UIS 测试，100% Rg 测试。 无铅，无卤。应用：开关电源中的同步整流。 硬开关和高速电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- BSC160N10NS3G(TOKMAS)
- 商品编号
- C19626242
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
商品概述
IRF6794MPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，使之前的最佳热阻降低80%。 IRF6794MPbF在实现业界领先的导通电阻的同时，还能将栅极电荷降至最低，并具有低栅极电阻，从而降低传导损耗和开关损耗。该器件集成了一个肖特基二极管，可降低体漏二极管的反向恢复电荷（Qrr），进一步减少同步降压电路中的损耗。这些降低的损耗使该产品非常适合为大电流负载（如最新一代微处理器）供电的高频/高效DC - DC转换器。IRF6794MPbF针对同步降压转换器同步FET插槽中的关键参数进行了优化。
商品特性
- 高速功率开关,逻辑电平
- 增强型体二极管 dv/dt 能力
- 增强型雪崩耐用性
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试,100% 栅极电阻(Rg)测试
- 无铅、无卤
应用领域
- 开关电源(SMPS)中的同步整流
- 硬开关和高速电路
- 电信和工业领域的 DC/DC 转换器