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BSC320N20NS3G(TOKMAS)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC320N20NS3G(TOKMAS)

1个N沟道 耐压:200V 电流:42A

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描述
特性:高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。 100% UIS 测试,100% Rg 测试。 无铅。应用:开关电源中的同步整流。 硬开关和高速电路
商品型号
BSC320N20NS3G(TOKMAS)
商品编号
C19626238
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)42A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)1.598nF
反向传输电容(Crss)7.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)124pF

商品概述

这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可应用于各种领域。

商品特性

  • 高速功率开关
  • 增强型体二极管 dv/dt 能力
  • 增强型雪崩耐用性
  • 100% 非箝位感性开关 (UIS) 测试、100% 栅极电阻 (Rg) 测试
  • 无铅

应用领域

  • 开关电源 (SMPS) 中的同步整流
  • 硬开关和高速电路
  • 电动工具
  • 不间断电源 (UPS)
  • 电机控制

数据手册PDF