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SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)
2个N沟道 耐压:40V 电流:25A
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- 描述
- 这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)
- 商品编号
- C19626229
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
CTLDM7590是一款增强型P沟道MOSFET，适用于高速脉冲放大器和驱动器等应用。该MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)、低阈值电压和极低栅极电荷的优点。
商品特性
- VDS = 40 V,ID = 25 A,VGS = 10 V时RDS(ON) = 13 mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择。
应用领域
- 负载/电源开关-升压/降压转换器-电池充电/电源管理