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IPG20N06S4L-26(TOKMAS))
2个N沟道 耐压:60V 电流:40A
- 描述
- 这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用了SGT DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- IPG20N06S4L-26(TOKMAS))
- 商品编号
- C19626230
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用了SGT DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 60 V，漏极电流 (ID) = 40 A，在栅源电压 (VGS) = 10 V时，导通漏源电阻 (RDS(ON)) < 13 mΩ
- 栅极电荷低。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通漏源电阻 (RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。