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BSC030N08NS5(TOKMAS)
1个N沟道 耐压:80V 电流:130A
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- BSC030N08NS5(TOKMAS)
- 商品编号
- C19626233
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 224pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.63nF |
商品特性
- 漏源电压VDS = 80 V,漏极电流ID = 130 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 3.3 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 直流-直流转换器-同步整流-电源