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BSC109N10NS3G(TOKMAS)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC109N10NS3G(TOKMAS)

1个N沟道 耐压:100V 电流:55A

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描述
该N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品型号
BSC109N10NS3G(TOKMAS)
商品编号
C19626232
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))9.9mΩ
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)2.3nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.55nF

商品特性

  • 高速功率开关
  • 增强型体二极管 dv/dt 能力
  • 增强型雪崩耐用性
  • 100% 非箝位感性开关(UIS)测试、100% 栅极电阻(Rg)测试
  • 无铅、无卤

应用领域

  • 开关电源(SMPS)中的同步整流
  • 硬开关和高速电路
  • 电信和工业领域的 DC/DC 转换器

数据手册PDF