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NCE60P50K(TOKMAS)
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- NCE60P50K(TOKMAS)
- 商品编号
- C19626227
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60 V,漏极电流ID = -50 A,当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 29 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
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