ADG1201BRJZ-R2
低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS SPST 开关
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- 描述
- 低电容、低电荷注入、±15V/+12ViCMOS、单刀单掷开关,采用SOT-23封装
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADG1201BRJZ-R2
- 商品编号
- C207552
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 1:1 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 5V~16.5V;-16.5V~-5V | |
| 导通时间(ton) | 230ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 270Ω | |
| 关闭时间(toff) | 230ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 导通电容(Con) | 6.3pF | |
| 带宽 | 660MHz |
商品概述
ADG1201/ADG1202是采用iCMOS(工业互补金属氧化物半导体)工艺设计的单刀单掷(SPST)开关单片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。iCMOS是一种将高压CMOS和双极技术相结合的模块化制造工艺。它能够开发出一系列高性能模拟集成电路,可在33 V电压下工作,且尺寸是前代高压器件无法企及的。与采用传统CMOS工艺的模拟集成电路不同,iCMOS元件能够承受高电源电压,同时提高性能、显著降低功耗并减小封装尺寸。
这些开关的超低电容和电荷注入特性使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案,这些应用需要低毛刺和快速稳定。快速开关速度和高信号带宽使这些器件适用于视频信号切换。
iCMOS结构确保了超低功耗,使这些器件非常适合便携式和电池供电的仪器。
ADG1201/ADG1202包含一个单刀单掷(SPST)开关。每个开关在导通时双向导通性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压。在关断状态下,可阻断高达电源电压的信号电平。
商品特性
- 关断电容2.4 pF
- 电荷注入<1 pC
- 低泄漏电流;85℃时最大0.6 nA
- 导通电阻120 Ω
- 在±15 V、+12 V下全面规格化
- 无需负电源
- 3 V逻辑兼容输入
- 轨到轨操作
- 6引脚SOT - 23封装
应用领域
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电系统
- 采样保持系统
- 音频信号路由
- 视频信号路由
- 通信系统
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个250个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交6单
