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ADR435BRZ-REEL7
超低噪声XFET电压基准源具备电流吸收和输出能力
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- 描述
- 超低噪声XFET基准电压源，具有吸电流和源电流能力
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADR435BRZ-REEL7
- 商品编号
- C206783
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电压基准芯片 | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 工作电压 | 7V~18V | |
| 输出电压 | 5V | |
| 输出电流 | 30mA | |
| 精度 | ±0.04% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 温度系数 | 3ppm/℃ | |
| 电压基准类型 | 串联 | |
| 静态电流(Iq) | 800uA | |
| 噪声(0.1Hz-10Hz) | 8uVp-p | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
商品概述
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一系列XFET电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度的非线性变化被降至最低。 与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800 μA），所需的电源电压裕量也更低（2 V）。掩埋齐纳基准源的工作需要超过5 V的裕量。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准源是5 V系统的低噪声解决方案。 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列能够提供高达30 mA的输出电流，吸收高达 -20 mA的电流。它还配备了一个微调端子，可在±0.5%的范围内调节输出电压，且不影响性能。
商品特性
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：输出2.500 V时为3.5 μV峰 - 峰值
- 无需外部电容
- 低温度系数 A级：最大10 ppm/°C B级：最大3 ppm/°C
- 负载调整率：15 ppm/mA
- 线性调整率：20 ppm/V
- 宽工作范围 ADR430：4.1 V至18 V ADR431：4.5 V至18 V ADR433：5.0 V至18 V ADR434：6.1 V至18 V ADR435：7.0 V至18 V
- 高输出源电流和吸收电流：30 mA和 -20 mA
- 宽温度范围：-40°C至 +125°C
应用领域
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 光控电路
- 精密仪器
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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