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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AD587KRZ

高精度10 V基准电压源

描述
使用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻的激光晶圆微调技术,以低成本提供出色的性能。比大多数其他10V基准源具有更高的性能。采用行业标准引脚排列,可立即升级许多系统。掩埋齐纳基准设计比带隙电压基准具有更低的噪声和漂移
品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
AD587KRZ
商品编号
C207733
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电压基准芯片
输出类型固定
工作电压13.5V~36V
输出电压10V
输出电流10mA
精度±0.05%
属性参数值
温度系数10ppm/℃
电压基准类型串联
静态电流(Iq)4mA
噪声(0.1Hz-10Hz)4uVp-p
工作温度0℃~+70℃@(Ta)

商品概述

AD587代表了先进的单片电压基准源的重大进步。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆微调技术,AD587以低成本提供了卓越的性能。 与带隙电压基准源相比,掩埋齐纳二极管的基准设计方法具有更低的噪声和漂移。AD587提供了一个降噪引脚,可用于进一步降低掩埋齐纳二极管产生的噪声水平。 AD587推荐用作需要外部精密基准源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准源。该器件也非常适合用于精度高达14位的逐次逼近型或积分型ADC。一般来说,它的性能优于标准的片上基准源。 AD587J和AD587K规定的工作温度范围为0℃至70℃,AD587U规定的工作温度范围为 -55℃至 +125℃。AD587JQ和AD587UQ型号采用8引脚CERDIP封装。其他型号提供适用于表面贴装应用的8引脚SOIC封装或8引脚PDIP封装。

商品特性

  • 激光微调至高精度10.000 V ±5 mV(U级)
  • 微调后的温度系数最大5 ppm/℃(U级)
  • 降噪能力
  • 低静态电流:最大4 mA
  • 输出微调能力
  • 提供符合MIL - STD - 883标准的版本

数据手册PDF

交货周期

订货49-51个工作日

购买数量

(98个/管,最小起订量 1078 个)
起订量:1078 个98个/管

总价金额:

0.00

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