ADR434ARMZ
超低噪声、4.096V XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADR434ARMZ
- 商品编号
- C209388
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电压基准芯片 | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 工作电压 | 6.1V~18V | |
| 输出电压 | 4.096V | |
| 输出电流 | 30mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 精度 | ±0.12% | |
| 温度系数 | 10ppm/℃ | |
| 电压基准类型 | 串联 | |
| 静态电流(Iq) | 800uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
商品概述
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一系列XFET电压基准源,具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应管(XFET)技术,ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度的非线性变化被降至最低。 与掩埋齐纳基准源相比,XFET基准源的工作电流更低(800 μA),所需的电源电压裕量也更低(2 V)。掩埋齐纳基准源的工作需要超过5 V的裕量。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准源是5 V系统的低噪声解决方案。 ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列能够提供高达30 mA的输出电流,吸收高达 -20 mA的电流。它还配备了一个微调端子,可在±0.5%的范围内调节输出电压,且不影响性能。
商品特性
- 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):输出2.500 V时为3.5 μV峰 - 峰值
- 无需外部电容
- 低温度系数 A级:最大10 ppm/°C B级:最大3 ppm/°C
- 负载调整率:15 ppm/mA
- 线性调整率:20 ppm/V
- 宽工作范围 ADR430:4.1 V至18 V ADR431:4.5 V至18 V ADR433:5.0 V至18 V ADR434:6.1 V至18 V ADR435:7.0 V至18 V
- 高输出源电流和吸收电流:30 mA和 -20 mA
- 宽温度范围:-40°C至 +125°C
应用领域
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 光控电路
- 精密仪器
交货周期
订货25-27个工作日购买数量
(50个/管,最小起订量 1000 个)个
起订量:1000 个50个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
