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CEM3139
双沟道增强型场效应晶体管（N沟道和P沟道）
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- 描述
- 特性：20V, 9A, RDS(ON) = 16mΩ @VOS = 4.5V；RDS(ON) = 20mΩ @VOS = 2.5V。 30V, -6A, RDS(ON) = 34mΩ @VSS = -10V。 RDS(ON) = 52mΩ @VSS = -4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 高功率和电流处理能力。 符合RoHS标准。 表面贴装封装
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEM3139
- 商品编号
- C207746
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 20V、9A,VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 16 mΩ
- VGS = 2.5V 时,RDS(ON) = 20 mΩ
- -30V、-6A,VGS = -10V 时,RDS(ON) = 34 mΩ
- VGS = -4.5V 时,RDS(ON) = 52 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
- 表面贴装封装