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CEC2088E
2个N沟道 耐压:20V 电流:36A
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- 描述
- 特性：20V，36A，RDS(ON) = 9mΩ @VGS = 4.5V；RDS(ON) = 12mΩ @VGS = 2.5V；RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 1.8V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 高功率和电流处理能力。 无铅电镀，符合RoHS标准。 ESD保护：2000V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEC2088E
- 商品编号
- C207743
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 17.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 275pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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