CSD95372BQ5MT

CSD95372BQ5M NexFET功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。这个产品集成了驱动器集成电路(IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 来完善功率级开关功能。这个组合在小型5mm×6mm外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。它还集成了准确电流感测和温度感测功能，以简化系统设计并提高准确度。此外，已经PCB封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

• 60A持续运行电流能力
• 电流30A时，系统效率达到93.4%
• 电流30A时，2.8W低功率损耗
• 高频运行（高达1.25MHz）
• 支持强制连续传导模式(FCCM) 的二极管仿真模式
• 温度补偿双向电流感测
• 模拟温度输出（0°C时600mV）
• 故障监控
• 高端短路、过流和过热保护
• 输入电压高达14.5V
• 与3.3和5V脉宽调制(PWM) 信号兼容
• 三态PWM输入
• 集成型自举二极管
• 针对击穿保护的经优化死区时间
• 高密度小外形尺寸无引线(SON) 5mm x 6mm封装
• 超低电感封装
• 系统已优化的印刷电路板(PCB) 封装
• 双冷却封装
• 符合RoHS绿色环保标准 - 无铅端子镀层
• 无卤素

• 多相位同步降压转换器
• 高频应用高电流、低占空比应用
• 负载点(POL) 直流 - 直流转换器
• 内存和图形卡
• 台式机和服务器VR11.x / VR12.x V内核和存储器
• 同步转换器