温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSD27N10DN56
N+P沟道 100V/-100V 18A/-12A
- 描述
- N+P沟道 100V/-100V 18A/-12A 50mΩ/80mΩ DFN5X6-8L
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD27N10DN56
- 商品编号
- C19271240
- 商品封装
- DFN5x6C-8-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1174克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V；80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V；30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF；1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF；85pF |
商品概述
WSD27N10DN56是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSD27N10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 同步降压转换器
- DC-DC电源系统
- 逆变器