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CMN3460MD
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.65A
- 描述
- 场效应管 MOS管，SOT-23-3L，N沟道，耐压：60V，电流：0.65A，10V内阻：1800mΩ，4.5V内阻：2200mΩ，功率：1.4W，CISS(Typ)：25PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN3460MD
- 商品编号
- C19271254
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2pF |
商品概述
CMN3416MD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 1.8Ω
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 2.2Ω
- SOT-23-3L封装
应用领域
-逆变器-负载开关-DC-DC转换器