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CMD055N06

1个N沟道 耐压:60V 电流:90A

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描述
场效应管 MOS管,TO-252,N沟道,耐压:60V,电流:90A,10V内阻:5.5mΩ,4.5V内阻:8.5mΩ,功率:100W,CISS(Typ):1700PF
商品型号
CMD055N06
商品编号
C19271259
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3795克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)750pF

商品概述

095N15采用先进技术和设计,可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 驱动要求简单
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电机驱动
  • 动力系统管理

数据手册PDF