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CMD055N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 场效应管 MOS管，TO-252，N沟道，耐压：60V，电流：90A，10V内阻：5.5mΩ，4.5V内阻：8.5mΩ，功率：100W，CISS(Typ)：1700PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD055N06
- 商品编号
- C19271259
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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