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CMN2922
1个N沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 描述
- 场效应管 MOS管，SOT-23-3，N沟道，耐压：100V，电流：4A，10V内阻：120mΩ，4.5V内阻：140mΩ，功率：1.4W，CISS(Typ)：400PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2922
- 商品编号
- C19271261
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 120mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 140mΩ
- SOT - 23 - 3L封装
应用领域
-DC-DC转换器-负载开关-系统开关
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