温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMN12P04M
1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 场效应管 MOS管，SOT-23-3L，P沟道，耐压：-40V，电流：-8A，10V内阻：49mΩ，4.5V内阻：65mΩ，功率：2W，CISS(Typ)：1050PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN12P04M
- 商品编号
- C19271258
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 49mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 65mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关