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CMSC4435
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 场效应管 MOS管，DFN-8 3.3x3.3，P沟道，耐压：-30V，电流：-15A，10V内阻：14mΩ，4.5V内阻：20mΩ，功率：30W，CISS(Typ)：2500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC4435
- 商品编号
- C19271255
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品概述
055N06采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作通用低端场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机驱动
- 动力系统管理