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CMB095N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:100A
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- 描述
- 场效应管 MOS管，TO-263，N沟道，耐压：150V，电流：100A，10V内阻：9.5mΩ，4.5V内阻：12mΩ，功率：200W，CISS(Typ)：3300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB095N15
- 商品编号
- C19271257
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.647克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
商品概述
060N10采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 开关应用