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CMH060N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
- 描述
- 场效应管 MOS管，TO-247，N沟道，耐压：100V，电流：120A，10V内阻：7mΩ，功率：265W，CISS(Typ)：3500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH060N10
- 商品编号
- C19271253
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.868889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
最新的950V CoolMOS™ PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7集成了超快体二极管，可用于谐振拓扑，其反向恢复电荷（Qrr）为市场最低。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源同步整流-适用于升压转换器