温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CME5P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 场效应管 MOS管，SOT-89，P沟道，耐压：-100V，电流：-5A，10V内阻：190mΩ，4.5V内阻：220mΩ，功率：2.5W，CISS(Typ)：1500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CME5P10
- 商品编号
- C19271251
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@2A | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
WSR140N10是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSR140N10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电视转换器电源管理-DC-DC转换器-LED电视背光源