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CME5P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- 场效应管 MOS管，SOT-89，P沟道，耐压：-100V，电流：-5A，10V内阻：190mΩ，4.5V内阻：220mΩ，功率：2.5W，CISS(Typ)：1500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CME5P10
- 商品编号
- C19271251
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CME5P10采用先进的工艺技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- P沟道
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器