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CMF7N65A
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- 场效应管 MOS管，TO-220FY，N沟道，耐压：650V，电流：7A，10V内阻：1300mΩ，功率：50W，CISS(Typ)：1100PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF7N65A
- 商品编号
- C19271252
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
CMSC4435采用先进的工艺技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 电源
- 大电流、高速开关