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CMSA6152
1个N沟道 耐压:45V 电流:100A
- 描述
- 场效应管 MOS管，DFN-8 5x6，N沟道，耐压：45V，电流：100A，10V内阻：1.5mΩ，4.5V内阻：2.1mΩ，功率：208W，CISS(Typ)：8500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA6152
- 商品编号
- C19271246
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
WSF3089是一款具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF3089符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器