温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD17573Q5B
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD17573Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17573Q5B
- 商品编号
- C202231
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 195W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |