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CSD17585F5
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.9A
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- 描述
- CSD17585F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17585F5
- 商品编号
- C202314
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.4pF |
商品概述
该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFETTM MOSFET 技术经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 1.53mm × 0.77mm
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 >4kV HBM
- 额定值 >2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 针对工业负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化