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FDD2572-F085实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD2572-F085

1个N沟道 耐压:150V 电流:29A

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描述
N沟道,150V,29A,54mΩ@10V
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD2572-F085
商品编号
C189183
商品封装
TO-252-2(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.438克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))75mΩ@6V,4A
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)-

商品特性

  • rDS(ON) = 45 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 9 A
  • Qg(tot) = 26 nC(典型值),VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低QRR体二极管
  • 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 通过AEC Q101认证
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式UPS
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 24V和48V系统的初级开关
  • 高压同步整流器
  • 直喷/柴油喷射系统
  • 42V汽车负载控制
  • 电子气门机构系统

数据手册PDF