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2ED21814S06JXUMA1
集成自举二极管的650V高端和低端栅极驱动器
- 描述
- 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪能力，能够在VS引脚上高达 -11 VDC的负电压瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，工作电压高达650 V。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2ED21814S06JXUMA1
- 商品编号
- C1848349
- 商品封装
- DSO-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | 200ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 300uA |
商品概述
2ED2181(4)S06F(J)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。在瞬态电压下，VS引脚（VCC = 15 V）上高达 -11 VDC的负电压时，该器件具有出色的耐用性和抗噪能力，能够维持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650 V。
商品特性
- 英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
- 100 μ的负VS瞬态抗扰度
- 浮动通道专为自举操作设计，工作电压（VS节点）高达 + 650 V
- 最大自举电压（VB节点）为 + 675 V
- 集成超快速、低电阻自举二极管
- VS引脚逻辑工作电压低至 –11 V，输入负电压容限为 -5 V
- 两个通道均有独立的欠压锁定功能
- 带迟滞的施密特触发器输入
- 兼容3.3 V、5 V和15 V输入逻辑
- 最大电源电压为25 V
- 提供DSO - 8和DSO - 14两种封装选项
- 高低压引脚分离，以实现最大爬电距离和电气间隙（2ED21814S06J版本）
- 2ED21814S06J版本具有独立的逻辑地和功率地
- 符合RoHS标准
应用领域
- 在各种电力电子应用中驱动IGBT、增强型N沟道MOSFET
- 驱动具有TRENCHSTOP IGBT6或600 V EasyPACK模块的电机驱动器、通用逆变器
- 驱动具有RCD系列IGBT、TRENCHSTOP系列IGBT或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他主要家用电器
- 驱动使用低压OptiMOS MOSFET或等效功率级的电池供电小型家用电器，如电动工具、吸尘器
- 用于工业开关电源的离线AC - DC电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，采用高压CoolMOS超结MOSFET或TRENCHSTOP H3和WR5 IGBT系列
- 具有CoolMOS超结MOSFET的高功率LED和HID照明
- 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
- 在上述应用中驱动650 V SiC MOSFET