2ED21091S06FXUMA1

2ED21091S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力，在瞬态电压下，当VS引脚（VCC = 15 V）上的负电压高达 - 11 V时，仍能维持工作逻辑。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650 V。

• 独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
• 具备100 V的负VS瞬态抗扰度
• 浮动通道专为自举操作而设计，工作电压（VS节点）最高可达 + 650 V
• 最大自举电压（VB节点）为 + 675 V
• 集成超快速、低电阻自举二极管
• VS引脚逻辑工作电压最低可达 –11 V
• 输入负电压容限为 - 5 V
• 两个通道均具备独立的欠压锁定功能
• 施密特触发器输入，迟滞为3.3 V、5 V和15 V，与输入逻辑兼容
• 最大电源电压为25 V
• 内部死区时间为540 ns，可通过外部电阻编程至最长2.7 μs
• 双功能DT/SD输入可关闭两个通道
• 符合RoHS标准

• 在各种电力电子应用中驱动IGBT、增强型N沟道MOSFET
• 驱动配备TRENCHSTOP IGBT6或600 V EasyPACK模块或等效功率级的电机驱动器、通用逆变器
• 驱动配备RCD系列IGBT或TRENCHSTOP系列IGBT或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他主要家用电器
• 驱动使用低压OptiMOS MOSFET或等效功率级的电池供电小型家用电器，如电动工具、吸尘器
• 用于工业开关电源（SMPS）的离线AC - DC电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，配备高压CoolMOS超结MOSFET或TRENCHSTOP H3和WR5 IGBT系列或等效器件
• 配备CoolMOS超结MOSFET的高功率LED和HID照明
• 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
• 在上述应用中驱动650 V SiC MOSFET