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UCC27211ADRMR

120V升压4A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器

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描述: 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC27211ADRMR
商品编号: C1848363
商品封装: VSON-8-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.22克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	5.5ns
	传播延迟 tpLH	20ns
	传播延迟 tpHL	16ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	输入高电平(VIH)	1.9V~2.7V
	输入低电平(VIL)	1.3V~1.9V
	静态电流(Iq)	85uA

商品概述

UCC27211A器件驱动器相比UCC27201 MOSFET驱动器有显著性能提升。峰值输出上拉和下拉电流提高至4A拉电流和4A灌电流，上拉和下拉电阻减小至0.9Ω，可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能直接处理 -10 VDC，提高了稳健耐用性，无需使用整流二极管即可与栅极驱动变压器直接对接，此输入与电源电压无关，最大额定值为20V。 UCC27211A的开关节点（HS引脚）最高可处理 -18V电压，保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210A（伪CMOS输入）和UCC27211A (TTL inputs)增加了滞后特性，使用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。低端和高端栅极驱动器独立控制，接通和关断之间实现至2ns的匹配。芯片集成了额定电压为120V的自举二极管，无需外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，提供对称的导通和关断行为，能在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A器件采用8引脚SOIC (D)、8引脚VSON (DRM)封装和8引脚SO - PowerPAD封装。

商品特性

可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
最大引导电压120V直流
4A吸收，4A源输出电流
0.9Ω上拉和下拉电阻
输入引脚能够耐受–10V至 +20V的电压，并且与电源电压范围无关
晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)或伪CMOS兼容输入版本
8V至17V VDD运行范围（绝对最大值20V）
7.2ns上升时间和5.5ns下降时间（采用1000pF负载时）
快速传播延迟时间（典型值20ns）
4ns延迟匹配
用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
支持全部行业标准封装 – SOIC - 8、4mm×4mm小外形尺寸无引线(SON) - 8封装、4mm×4mm小外形尺寸无引线(SON) - 10封装
-40°C至 +140°C的额定温度范围

应用领域

针对电信，数据通信和商用的电源
半桥和全桥转换器
推挽转换器
高电压同步降压型转换器
两开关正激式转换器
有源箝位正激式转换器
D类音频放大器

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9.9折

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	8V~17V
	上升时间(tr)	7.2ns