6ED2230S12TXUMA1
集成自举二极管和过流保护(OcP)的1200V三相栅极驱动器
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- 描述
- 6ED2230S12T 是一款高压、高速 IGBT,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 TTL 输出兼容,低至 3.3V。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 6ED2230S12TXUMA1
- 商品编号
- C1849479
- 商品封装
- DSO-24
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边;高边 | |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 650mA | |
| 拉电流(IOH) | 350mA | |
| 工作电压 | 13V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 700ns | |
| 传播延迟 tpHL | 650ns | |
| 特性 | 过流保护(OCP);欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| 静态电流(Iq) | 1mA |
商品概述
6ED2230S12T是一款高压、高速IGBT,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或TTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。还可通过该电阻实现过流保护(OCP)功能,该功能可终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号,以指示发生了过流或欠压关断。故障状态会在通过RC网络外部编程的延迟时间后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达1200V。匹配的传播延迟简化了HVIC在高频应用中的使用。
商品特性
- 英飞凌薄膜SOI技术
- 最高可在+1200V下完全工作
- 集成超快速自举二极管
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 输出源/灌电流能力为+0.35A / -0.65A
- 基于SOI技术,可耐受高达-100V的负瞬态电压(脉冲宽度最长为700ns)
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
- 过流保护,ITRIP阈值精度为±5%
- 故障报告、自动故障清除和使能功能共用同一引脚(RFE)
- 所有通道的传播延迟匹配
- 集成460ns死区时间保护
- 直通(交叉导通)保护
应用领域
- 工业驱动器
- 泵、风扇电机控制用嵌入式逆变器
- 商用和轻商用空调
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1000个/圆盘
总价金额:
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