TLC6C5912QDWRQ1

TLC6C5912-Q1 是一款单片、中等电压、低电流电源12 位移位寄存器，设计用于需要相对适量负载功率的系统（如LED）中。

此器件包含一个12 位串入、并出移位寄存器，此寄存器为一个12 位D 类存储寄存器提供数据。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟(SRCK) 和寄存器时钟(RCK) 的上升边沿上发生。当移位寄存器清零(CLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。一个CLR上的低电平将器件中的所有寄存器清零。将输出使能 (G（上划线）) 保持为高电平将把输出缓冲器中的所有数据保存为低电平，并且所有漏极输出关闭。保持G为低电平将使得来自存储寄存器中的数据对于输出缓冲器不可见。

当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据为高电平时，DMOS 晶体管输出具有电流吸收功能。串行输出(SER OUT) 在SRCK的下降沿随时钟移出器件，为级联应用提供更多保持时间。这对于时钟信号可能出现偏移的应用、放置位置相互不靠近的器件、或者电磁干扰较大的系统而言可以提升性能。此器件内置有热关断保护。

输出端为低侧开漏DMOS 晶体管，输出额定电压为40V ， VCC = 5V 时拥有 50mA 的连续灌电流能力。电流限值随着结温上升而降低，从而提供额外的器件保护。该器件还提供高达2000V 的ESD 人体模型保护和200V 的ESD 机器模型保护。

TLC6C5912-Q1 的额定运行环境温度范围为 -40℃ 至125℃ 。

• 适用于汽车电子应用
• 宽 VCC 电压范围：3.5V 至5.5V
• 40V 的最大输出额定值
• 12 个功率DMOS 晶体管输出
• VCC = 5V 时的连续电流输出达50mA
• 热关断保护
• 针对多级的增强型级联
• 所有寄存器由单一输入清零
• 低功耗
• 缓开关时间（tr 和 t），这十分有助于减少电磁干扰(EMI)
• 20 引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)-PW 封装
• 20 引脚DW 封装

• 仪表板
• 信号灯
• LED 照明和控制