2ED2108S06FXUMA1

2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。在瞬态电压下，VS 引脚（VCC = 15 V）上的负电压高达 - 11 V 时，器件具有出色的耐用性和抗噪能力，能够维持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动 N 沟道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT，其工作电压高达 650 V。

• 独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅 (SOI) 技术
• 100 μs 的负 VS 瞬态抗扰度
• 为自举操作设计的浮动通道
• 工作电压（VS 节点）高达 + 650 V
• 最大自举电压（VB 节点）为 + 675 V
• 集成超快速、低电阻自举二极管
• VS 引脚逻辑工作电压低至 –11 V
• 输入负电压容差为 -5 V
• 两个通道独立的欠压锁定
• 带迟滞的施密特触发器输入
• 3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑兼容
• 最大电源电压为 25 V
• DSO - 8 和 DSO - 14 双封装选项
• 高低压引脚分离，以实现最大爬电距离和电气间隙（2ED21084S06J 版本）
• 2ED21084S06J 版本具有独立的逻辑地和功率地
• 内部 540 ns 死区时间，可通过外部电阻编程至 5 μs（仅 2ED21084S06J）
• 符合 RoHS 标准

• 在各种电力电子应用中驱动 IGBT、增强型 N 沟道 MOSFET
• 驱动具有 TRENCHSTOP IGBT6 或 600 V EasyPACK 模块或等效功率级的电机驱动器、通用逆变器
• 驱动具有 RCD 系列 IGBT 或 TRENCHSTOP 系列 IGBT 或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他主要家用电器
• 驱动使用低压 OptiMOS MOSFET 或等效功率级的电池供电小型家用电器，如电动工具、吸尘器
• 用于工业开关电源的离线 AC - DC 电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，采用高压 CoolMOS 超结 MOSFET 或 TRENCHSTOP H3 和 WR5 IGBT 系列或等效器件
• 采用 CoolMOS 超结 MOSFET 的高功率 LED 和 HID 照明
• 电动汽车 (EV) 充电站和电池管理系统
• 在上述应用中驱动 650 V SiC MOSFET