温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2ED21834S06JXUMA1
650V半桥栅极驱动器，集成自举二极管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2ED21834S06JXUMA1
- 商品编号
- C1850288
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | 200ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 550uA |
商品概述
2ED2183(4)S06F(J) 是一款半桥高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。在瞬态电压下，VS 引脚（VCC = 15 V）上的负电压高达 -11 VDC 时，该器件具有出色的耐用性和抗噪能力，能维持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT，其工作电压高达 650 V。
商品特性
- 独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
- 100 μ 的负 VS 瞬态抗扰度
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 工作电压（VS 节点）高达 +650 V
- 最大自举电压（VB 节点）+675 V
- 集成超快速、低电阻自举二极管
- 集成直通保护和内置死区时间
- VS 引脚逻辑工作电压低至 –11 V
- 输入负电压容差为 -5 V
- 两个通道独立的欠压锁定
- 带迟滞的施密特触发器输入
- 3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑兼容
- 最大电源电压 25 V
- DSO-8 和 DSO-14 双封装选项
- 高低压引脚分离，以实现最大爬电距离和电气间隙（2ED21834S06J 版本）
- 2ED21834S06J 版本具有独立的逻辑地和功率地
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 在各种电力电子应用中驱动 IGBT、增强型 N 沟道 MOSFET
- 驱动具有 TRENCHSTOP IGBT6 或 600 V EasyPACK 模块的电机驱动器、通用逆变器
- 驱动具有 RCD 系列 IGBT 或 TRENCHSTOP 系列 IGBT 或其等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他主要家用电器
- 驱动使用低压 OptiMOS MOSFET 或其等效功率级的电池供电小型家用电器，如电动工具、吸尘器
- 用于工业开关电源的离线 AC-DC 电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，采用高压 CoolMOS 超结 MOSFET 或 TRENCHSTOP H3 和 WR5 IGBT 系列
- 采用 CoolMOS 超结 MOSFET 的高功率 LED 和 HID 照明
- 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
- 在上述应用中驱动 650 V SiC MOSFET