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IRS2008MPBFAUMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS2008MPBFAUMA1

IRS2008MPBFAUMA1

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商品型号
IRS2008MPBFAUMA1
商品编号
C1854954
商品封装
MLPQ-14(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)600mA
属性参数值
拉电流(IOH)290mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)70ns
下降时间(tf)30ns
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)

商品概述

IRS2008是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达200 V。传播延迟经过匹配,便于HVIC在高频应用中使用。

商品特性

  • 每通道栅极驱动电源最高可达20 V
  • VCC、VBS欠压锁定
  • 与3.3 V、5 V、15 V输入逻辑兼容
  • 耐受负瞬态电压
  • 专为自举电源设计
  • 交叉导通预防逻辑
  • 双通道传播延迟匹配
  • 内部设置死区时间
  • 高端输出与输入同相
  • 关断输入可关闭双通道
  • 工作温度范围为 -40℃至125℃
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 家电电机驱动
  • 步进电机
  • 伺服驱动器
  • 微型逆变器驱动
  • 通用三相逆变器
  • 轻型电动车(电动自行车、电动滑板车、电动玩具)
  • 无线充电
  • 通用电池驱动应用

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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