2ED2106S06FXUMA1

集成自举二极管的650 V高端和低端栅极驱动器

描述

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚上高达 -11 V的负电压 (VCC = 15 V) 瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，工作电压高达650 V。

品牌名称

Infineon(英飞凌)

商品型号

2ED2106S06FXUMA1

商品编号

C1848355

商品封装

DSO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.11克(g)