2ED2106S06FXUMA1

集成自举二极管的650 V高端和低端栅极驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚上高达 -11 V的负电压 (VCC = 15 V) 瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，工作电压高达650 V。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2ED2106S06FXUMA1
商品编号: C1848355
商品封装: DSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.11克(g)

商品参数