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LM5113TME/NOPB

80V半桥氮化镓驱动器

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描述: LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM5113TME/NOPB
商品编号: C181340
商品封装: DSBGA-12
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	1.5ns
	传播延迟 tpLH	28ns
	传播延迟 tpHL	26.5ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.89V~2.18V
	输入低电平(VIL)	1.48V~1.76V
	静态电流(Iq)	70uA

商品概述

LM5113器件旨在以同步降压或半桥配置驱动高端和低端增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。浮动高端驱动器能够驱动工作电压高达100 V的高端增强型GaN FET。高端偏置电压采用自举技术生成，并在内部钳位至5.2 V，可防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅源电压额定值。LM5113的输入与TTL逻辑兼容，无论VDD电压如何，都能承受高达14 V的输入电压。LM5113具有分离式栅极输出，可灵活独立调节导通和关断强度。 LM5113强大的灌电流能力可使栅极保持低电平状态，防止开关过程中意外导通。LM5113可在数MHz的频率下工作。LM5113提供标准的WSON-10引脚封装和12凸点DSBGA封装。WSON-10引脚封装包含一个外露焊盘，有助于散热。DSBGA封装尺寸紧凑，封装电感极小。

商品特性

独立的高端和低端TTL逻辑输入
1.2 A / 5 A峰值源电流/灌电流
高端浮动偏置电压轨
最高可在100 VDC下工作
内部自举电源电压钳位
分离式输出，可调节导通/关断强度
0.6 Ω / 2.1 Ω下拉/上拉电阻
快速传播时间（典型值28 ns）
出色的传播延迟匹配（典型值1.5 ns）
电源轨欠压锁定
低功耗

应用领域

电流馈电推挽式转换器
半桥和全桥转换器
同步降压转换器
双开关正激式转换器
带有源钳位的正激式转换器

优惠活动

购买数量

(250个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个250个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	5A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	7ns