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UCC27200D

120 V自举、3 A峰值、高频、高端和低端驱动器

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描述: UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC27200D
商品编号: C181386
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.173克(g)

商品参数

商品概述

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器包含一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且彼此的导通和关断时间匹配至1ns。片上自举二极管省去了外部分立二极管。高端和低端驱动器均设有欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本的UCC27200。UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，而UCC27201具有TTL兼容阈值。

商品特性

以高端和低端配置驱动两个N沟道MOSFET
高端可处理负电压（–5V）
最大自举电压为120V
最大VDD电压为20V
片上0.65V正向电压、0.6Ω电阻的自举二极管
工作频率大于1MHz
传播延迟时间为20ns
灌电流和拉电流输出均为3A
负载为1000pF时，上升时间为8ns，下降时间为7ns
延迟匹配为1ns
高端和低端驱动器均有欠压锁定功能
工作温度范围为–40℃至140℃

应用领域

电信、数据通信和商用市场的电源
半桥应用和全桥转换器
隔离总线架构
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
高压同步降压转换器
D类音频放大器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	8V~17V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	7ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	输入高电平(VIH)	5.8V~8V
	输入低电平(VIL)	3V~5.4V
	静态电流(Iq)	400uA