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SPA11N60C3
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31;-3-111：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准，适用于目标应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPA11N60C3
- 商品编号
- C165621
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.815克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@500uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 额定周期性雪崩能力
- 额定极高dv/dt能力
- 高峰值电流能力
- 跨导性能提升
- PG-TO-220-3-31；-3-111：全隔离封装（2500 VAC；1分钟）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证