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VND14NV04-E

全保护型功率MOSFET

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描述
VNB14NV04、VND14NV04、VND14NV04 - 1和VNS14NV04是采用VIPower™ M0技术制造的单片器件,旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈
商品型号
VND14NV04-E
商品编号
C155647
商品封装
TO-252-2(DPAK)​
包装方式
管装
商品毛重
0.475克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型高侧开关
通道数1
输入控制逻辑高电平有效
最大连续电流12A
属性参数值
工作电压-
导通电阻35mΩ
工作温度-55℃~+150℃
特性过热保护(OTP);短路保护(SCP)

商品概述

VNB14NV04、VND14NV04、VND14NV04-1 和 VNS14NV04 是采用意法半导体 VIPower™ M0 技术制造的单片器件,旨在替代直流至50kHz应用中的标准功率MOSFETs。内置的热关断、线性电流限制和过电压箝位保护芯片在恶劣环境中免受损坏。故障反馈可以通过监测输入引脚的电压来检测。

商品特性

  • 线性电流限制
  • 热关断
  • 短路保护
  • 集成箝位
  • 从输入引脚吸取的电流小
  • 通过输入引脚进行诊断反馈
  • ESD保护
  • 直接访问功率MOSFET的栅极(模拟驱动)
  • 兼容标准功率MOSFET

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