温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB18NF25
1个N沟道 耐压:250V 电流:17A
- 描述
- 汽车级N沟道250 V、0.14 Ohm、17 A低栅极电荷STripFET II功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB18NF25
- 商品编号
- C155570
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单