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STB18NF25
1个N沟道 耐压:250V 电流:17A
- 描述
- 汽车级N沟道250 V、0.14 Ohm、17 A低栅极电荷STripFET II功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB18NF25
- 商品编号
- C155570
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
商品概述
这些功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 专为汽车应用设计，并通过AEC-Q101认证
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 出色的dv/dt能力
应用领域
- 开关应用