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STS8DN6LF6AG
2个N沟道 耐压:60V 电流:8A
- 描述
- 汽车级双路N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS8DN6LF6AG
- 商品编号
- C155609
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
该器件是采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的双N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的RDS(on)。
商品特性
-通过AEC-Q101认证-极低的导通电阻-极低的栅极电荷-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗-逻辑电平
应用领域
-开关应用