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STP140N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- N沟道60 V、0.0031 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP140N6F7
- 商品编号
- C155616
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 158W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 193pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.52nF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，使终端产品更小
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 另有符合汽车应用标准的产品规格书（DMG7401SFGQ）
应用领域
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC - DC转换器